DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated


DMN2022UFDF.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN2022UFDF-7 за ціною від 8.69 грн до 60.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2022UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.99 грн
13+24.59 грн
100+14.71 грн
500+12.78 грн
1000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2022UFDF.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.94 грн
10+36.78 грн
100+20.53 грн
500+15.57 грн
1000+14.45 грн
3000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.