DMN2022UFDF-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.11 грн |
| 1000+ | 5.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2022UFDF-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.03W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN2022UFDF-7 за ціною від 5.93 грн до 44.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2022UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2022UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2022UFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2022UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V |
на замовлення 46979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2022UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W |
на замовлення 4593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2022UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN2022UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN2022UFDF-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN2022UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN2022UFDF-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |