Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2022UFDF-7
DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated

DMN2022UFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.03W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN2022UFDF-7 за ціною від 7.81 грн до 37.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2022ufdf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF-7 Виробник : DIODES INC. DMN2022UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.24 грн
500+11.45 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2022UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.44 грн
13+25.66 грн
100+15.35 грн
500+13.34 грн
1000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF-7 Виробник : DIODES INC. DMN2022UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.44 грн
34+25.34 грн
100+16.24 грн
500+11.45 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2022UFDF.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.23 грн
13+27.81 грн
100+15.54 грн
500+11.75 грн
1000+10.38 грн
3000+8.94 грн
6000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2022ufdf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2022ufdf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF-7 Виробник : Diodes Inc dmn2022ufdf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2022UFDF.pdf DMN2022UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.