Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2023UCB4-7
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7 Diodes Incorporated

DMN2023UCB4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.21 грн
10+43.80 грн
100+28.56 грн
500+20.67 грн
1000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2023UCB4-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.45W, Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: X1-WLB1818-4, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2023UCB4-7 за ціною від 16.85 грн до 73.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2023UCB4-7 DMN2023UCB4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2023UCB4.pdf MOSFETs N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.14 грн
10+48.09 грн
100+28.08 грн
500+21.87 грн
1000+19.80 грн
3000+17.11 грн
6000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7 Виробник : Diodes Zetex 196678251711637dmn2023ucb4.pdf Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7 Виробник : Diodes Zetex 196678251711637dmn2023ucb4.pdf Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7 Виробник : Diodes Zetex 196678251711637dmn2023ucb4.pdf Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.80 грн
15000+19.91 грн
30000+18.53 грн
45000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7 Виробник : Diodes Zetex 196678251711637dmn2023ucb4.pdf Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7 Виробник : Diodes Inc 196678251711637dmn2023ucb4.pdf Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7 DMN2023UCB4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2023UCB4.pdf Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7 DMN2023UCB4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2023UCB4.pdf Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2023UCB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB1818-4
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 1.45W
Drain current: 4.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 20A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.