DMN2023UCB4-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.42 грн |
| 10+ | 40.89 грн |
| 100+ | 26.66 грн |
| 500+ | 19.30 грн |
| 1000+ | 17.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2023UCB4-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.45W, Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: X1-WLB1818-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN2023UCB4-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2023UCB4-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN2023UCB4-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF
MOSFETs N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)