DMN2023UCB4-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.35 грн |
| 6000+ | 15.33 грн |
| 9000+ | 14.73 грн |
| 15000+ | 13.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2023UCB4-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.45W, Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: X1-WLB1818-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN2023UCB4-7 за ціною від 15.93 грн до 68.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2023UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X1-WLB1818-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 21413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2023UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X1-WLB1818-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2023UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2023UCB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2023UCB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2023UCB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2023UCB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN2023UCB4-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN2023UCB4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W Mounting: SMD Power dissipation: 1.45W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 37nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 20A Case: X1-WLB1818-4 Drain-source voltage: 24V Drain current: 4.8A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN2023UCB4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W Mounting: SMD Power dissipation: 1.45W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 37nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 20A Case: X1-WLB1818-4 Drain-source voltage: 24V Drain current: 4.8A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |