DMN2024UQ-7 Diodes Incorporated


DMN2024UQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.52 грн
6000+7.44 грн
9000+6.68 грн
15000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2024UQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2024UQ-7 за ціною від 9.90 грн до 41.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN2024UQ-7 DMN2024UQ-7 Diodes Incorporated DMN2024UQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 313460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
13+24.48 грн
100+11.83 грн
500+11.06 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7 Diodes Incorporated DMN2024UQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7 DMN2024UQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 313460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.07 грн
13+24.48 грн
100+11.83 грн
500+11.06 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7 DMN2024UQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.