DMN2024UTS-13

DMN2024UTS-13 Diodes Incorporated


DMN2024UTS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 87500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.96 грн
5000+10.34 грн
7500+10.20 грн
12500+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2024UTS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 890mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP.

Інші пропозиції DMN2024UTS-13 за ціною від 10.76 грн до 50.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2024UTS-13 DMN2024UTS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0010315301_1-2543420.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.43 грн
11+34.00 грн
100+19.93 грн
500+15.69 грн
1000+14.17 грн
2500+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UTS-13 DMN2024UTS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2024UTS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 89867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.02 грн
10+31.74 грн
100+20.82 грн
500+15.69 грн
1000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UTS-13 Виробник : Diodes Zetex DMN2024UTS.pdf High Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.