Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2025U-7
DMN2025U-7

DMN2025U-7 Diodes Incorporated

DMN2025U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.91 грн
6000+4.07 грн
9000+3.42 грн
15000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2025U-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2025U-7 за ціною від 3.44 грн до 29.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2025U-7 DMN2025U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2025U.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
на замовлення 19245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.29 грн
23+13.53 грн
100+5.82 грн
500+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2025u.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3481+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3481
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012994434_1-2513200.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 8002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.55 грн
16+21.37 грн
100+10.55 грн
1000+5.38 грн
3000+4.31 грн
9000+3.66 грн
24000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2025u.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.