DMN2026UVT-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 8.22 грн |
| 30000+ | 7.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2026UVT-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-23-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2026UVT-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2026UVT-13 | Виробник : Diodes Inc |
N-Channel Enhancement Mode Mosfet |
товару немає в наявності |
|
| DMN2026UVT-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN2026UVT-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
DMN2026UVT-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A |
товару немає в наявності |