DMN2028UFU-7 Diodes Incorporated


DMN2028UFU.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.92 грн
6000+10.51 грн
9000+10.01 грн
15000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2028UFU-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B), Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN2028UFU-7 за ціною від 8.65 грн до 51.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2028UFU-7 DMN2028UFU-7 Diodes Incorporated DMN2028UFU.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.60 грн
12+27.90 грн
100+16.67 грн
500+13.08 грн
1000+11.74 грн
3000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 DMN2028UFU-7 Diodes Incorporated DMN2028UFU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 17473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.43 грн
10+30.55 грн
100+19.65 грн
500+14.01 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 DMN2028UFU.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.60 грн
12+27.90 грн
100+16.67 грн
500+13.08 грн
1000+11.74 грн
3000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 DMN2028UFU.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 17473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.43 грн
10+30.55 грн
100+19.65 грн
500+14.01 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.