Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2028UFU-7
DMN2028UFU-7

DMN2028UFU-7 Diodes Incorporated

DMN2028UFU.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2028UFU-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2030, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN2028UFU-7 за ціною від 9.39 грн до 47.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2028UFU-7 DMN2028UFU-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0001248765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.45 грн
500+16.31 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 DMN2028UFU-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2028UFU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 44985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.30 грн
12+27.21 грн
100+18.67 грн
500+13.71 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 DMN2028UFU-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2028UFU.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.17 грн
12+30.30 грн
100+18.10 грн
500+14.20 грн
1000+12.75 грн
3000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 DMN2028UFU-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0001248765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.97 грн
27+32.64 грн
100+22.45 грн
500+16.31 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 Виробник : Diodes Zetex 1018dmn2028ufu.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 Виробник : Diodes Inc 1018dmn2028ufu.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2028UFU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 40A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.8W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.