DMN2028USS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.11 грн |
| 5000+ | 12.56 грн |
| 7500+ | 12.03 грн |
| 12500+ | 10.68 грн |
| 17500+ | 10.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2028USS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2028USS-13 за ціною від 11.45 грн до 27.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2028USS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
на замовлення 23375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2028USS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K |
на замовлення 4048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2028USS-13 | Виробник : Diodes |
MOSFET N-CH 20V 7.3A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|