Продукція > DIODES INC > DMN2028USS-13
DMN2028USS-13

DMN2028USS-13 Diodes Inc

565dmn2028uss.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2028USS-13 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN2028USS-13 за ціною від 12.43 грн до 51.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Виробник : Diodes Zetex 565dmn2028uss.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Виробник : Diodes Zetex 565dmn2028uss.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Виробник : Diodes Zetex 565dmn2028uss.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2028USS.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Виробник : DIODES INC. DMN2028USS.pdf Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.74 грн
500+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2028USS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 4048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.62 грн
18+19.87 грн
100+16.52 грн
500+14.55 грн
1000+13.64 грн
2500+12.51 грн
5000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F97EE4C1678748&compId=DMN2028USS.pdf?ci_sign=54153eb7536a9f55f8880d98ca7ffbc4948fb66c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.3A; 12.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 12.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.96 грн
14+29.69 грн
50+23.92 грн
60+15.71 грн
164+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Виробник : DIODES INC. DMN2028USS.pdf Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.62 грн
50+31.72 грн
100+28.74 грн
500+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F97EE4C1678748&compId=DMN2028USS.pdf?ci_sign=54153eb7536a9f55f8880d98ca7ffbc4948fb66c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.3A; 12.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 12.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.96 грн
10+37.00 грн
50+28.71 грн
60+18.85 грн
164+17.81 грн
2500+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2028USS.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.66 грн
10+35.21 грн
100+25.42 грн
500+18.29 грн
1000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Виробник : Diodes Zetex 565dmn2028uss.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2028USS.pdf MOSFET N-CH 20V 7.3A SOIC-8
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Виробник : Diodes Zetex 565dmn2028uss.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.