DMN2029USD-13

DMN2029USD-13 Diodes Zetex


dmn2029usd.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2029USD-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2029USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN2029USD-13 за ціною від 7.31 грн до 48.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2029USD-13 DMN2029USD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2029USD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 127500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.85 грн
5000+9.65 грн
7500+9.22 грн
12500+8.15 грн
17500+7.86 грн
25000+7.79 грн
62500+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13 DMN2029USD-13 Виробник : DIODES INC. DIODS19865-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2029USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.58 грн
500+13.47 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13 DMN2029USD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2029USD.pdf MOSFETs 20V Dual N-Ch ENH 20V 25mOhm 4.5V 5.8A
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+32.02 грн
13+27.22 грн
100+16.56 грн
500+12.85 грн
1000+10.51 грн
2500+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13 DMN2029USD-13 Виробник : DIODES INC. DIODS19865-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2029USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.46 грн
29+29.94 грн
100+18.58 грн
500+13.47 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13 DMN2029USD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2029USD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 130133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.26 грн
12+28.59 грн
100+18.38 грн
500+13.08 грн
1000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13 Виробник : Diodes INC. DMN2029USD.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,8 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1171 @ 10; Qg, нКл = 18,6 @ 8 В; Rds = 25 мОм @ 6,5 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 1,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13 DMN2029USD-13 Виробник : Diodes Zetex dmn2029usd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13 DMN2029USD-13 Виробник : Diodes Zetex dmn2029usd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13 DMN2029USD-13 Виробник : Diodes Inc dmn2029usd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13 DMN2029USD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C8D9E8985098BF&compId=DMN2029USD.pdf?ci_sign=7a0d3450b78f0d7f8cb39fa463423592c594dc39 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; 0.7W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 0.7W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13 DMN2029USD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C8D9E8985098BF&compId=DMN2029USD.pdf?ci_sign=7a0d3450b78f0d7f8cb39fa463423592c594dc39 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; 0.7W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 0.7W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.