DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.67 грн |
| 6000+ | 13.88 грн |
| 9000+ | 13.26 грн |
| 15000+ | 11.80 грн |
| 21000+ | 11.41 грн |
| 30000+ | 11.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 24V, Drain current: 4A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 1.45W, Case: X2-WLB1616-4, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 52mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 12.6nC, Kind of package: 7 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції DMN2036UCB4-7 за ціною від 16.41 грн до 65.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2036UCB4-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V Supplier Device Package: X2-WLB1616-4 |
на замовлення 41726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMN2036UCB4-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 2707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN2036UCB4-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
на замовлення 41726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.09 грн |
| 10+ | 38.88 грн |
| 100+ | 25.24 грн |
| 500+ | 18.19 грн |
| 1000+ | 16.41 грн |
| DMN2036UCB4-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)