на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.59 грн |
| 10+ | 41.47 грн |
| 100+ | 24.09 грн |
| 500+ | 18.72 грн |
| 1000+ | 16.88 грн |
| 3000+ | 12.51 грн |
| 6000+ | 12.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W, Mounting: SMD, Case: X2-WLB1616-4, Gate charge: 12.6nC, On-state resistance: 52mΩ, Power dissipation: 1.45W, Drain current: 4A, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 24V, Pulsed drain current: 30A, Kind of package: 7 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar.
Інші пропозиції DMN2036UCB4-7 за ціною від 14.62 грн до 65.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2036UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V Supplier Device Package: X2-WLB1616-4 |
на замовлення 2727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
DMN2036UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V Supplier Device Package: X2-WLB1616-4 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W Mounting: SMD Case: X2-WLB1616-4 Gate charge: 12.6nC On-state resistance: 52mΩ Power dissipation: 1.45W Drain current: 4A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 24V Pulsed drain current: 30A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |