DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.03 грн |
| 6000+ | 12.31 грн |
| 9000+ | 12.07 грн |
| 15000+ | 11.25 грн |
| 21000+ | 11.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W, Mounting: SMD, Power dissipation: 1.45W, Polarisation: unipolar, Kind of package: 7 inch reel; tape, Gate charge: 12.6nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 30A, Case: X2-WLB1616-4, Drain-source voltage: 24V, Drain current: 4A, On-state resistance: 52mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції DMN2036UCB4-7 за ціною від 12.48 грн до 61.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2036UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 2821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2036UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V Supplier Device Package: X2-WLB1616-4 |
на замовлення 23830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W Mounting: SMD Power dissipation: 1.45W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 12.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 30A Case: X2-WLB1616-4 Drain-source voltage: 24V Drain current: 4A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W Mounting: SMD Power dissipation: 1.45W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 12.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 30A Case: X2-WLB1616-4 Drain-source voltage: 24V Drain current: 4A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |