Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2040U-13
DMN2040U-13

DMN2040U-13 Diodes Incorporated

DMN2040U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.78 грн
20000+4.53 грн
30000+4.33 грн
50000+4.03 грн
70000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2040U-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN2040U-13 за ціною від 4.32 грн до 31.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2040U-13 DMN2040U-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004567240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.25 грн
1000+4.66 грн
5000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13 DMN2040U-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2040U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 297101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.32 грн
23+14.13 грн
100+6.37 грн
500+5.92 грн
1000+4.74 грн
2000+4.62 грн
5000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13 DMN2040U-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004567240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+23.55 грн
53+16.24 грн
117+7.30 грн
500+6.25 грн
1000+4.66 грн
5000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13 DMN2040U-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2040U.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 18891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.92 грн
18+19.53 грн
100+10.69 грн
500+8.03 грн
1000+6.29 грн
5000+5.38 грн
10000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13 Виробник : Diodes Inc 170dmn2040u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2040U.pdf DMN2040U-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.