Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2040U-13
DMN2040U-13

DMN2040U-13 Diodes Incorporated

DMN2040U.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.52 грн
20000+4.28 грн
30000+4.09 грн
50000+3.81 грн
70000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2040U-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3.

Інші пропозиції DMN2040U-13 за ціною від 4.18 грн до 20.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN2040U-13 DMN2040U-13 Diodes Incorporated DMN2040U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 297101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
23+13.36 грн
100+6.02 грн
500+5.60 грн
1000+4.48 грн
2000+4.36 грн
5000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13 DMN2040U-13 Diodes Incorporated DMN2040U.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 18891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13 DMN2040U.pdf
DMN2040U-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 297101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.15 грн
23+13.36 грн
100+6.02 грн
500+5.60 грн
1000+4.48 грн
2000+4.36 грн
5000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040U-13 DMN2040U.pdf
DMN2040U-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 18891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.