Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2040U-13
DMN2040U-13

DMN2040U-13 Diodes Incorporated

DMN2040U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.98 грн
30000+ 4.74 грн
50000+ 4.03 грн
100000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2040U-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2040U-13 за ціною від 3.91 грн до 28.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2040U-13 DMN2040U-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2040U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
на замовлення 399436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.8 грн
16+ 17.81 грн
100+ 8.98 грн
500+ 7.47 грн
1000+ 5.81 грн
2000+ 5.2 грн
5000+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2040U-13 DMN2040U-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004567240_1-2542528.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 39489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.06 грн
16+ 19.73 грн
100+ 7.69 грн
1000+ 5.37 грн
2500+ 5.23 грн
10000+ 4.17 грн
20000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2040U-13 Виробник : Diodes Inc 170dmn2040u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMN2040U-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2040U.pdf DMN2040U-13 SMD N channel transistors
товар відсутній