DMN2041LSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.63A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 177500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.08 грн |
| 5000+ | 11.53 грн |
| 7500+ | 10.99 грн |
| 12500+ | 9.74 грн |
| 17500+ | 9.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2041LSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.63A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN2041LSD-13 за ціною від 10.76 грн до 64.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2041LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2041LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.63A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2041LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.16W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.63A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 178659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2041LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2041LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE |
на замовлення 8771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2041LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2041LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN2041LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN2041LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.92A; Idm: 30A; 1.16W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.92A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.16W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN2041LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.92A; Idm: 30A; 1.16W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.92A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.16W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |