Продукція > DIODES INC > DMN2041UVT-13

DMN2041UVT-13 Diodes Inc


dmn2041uvt.pdf Виробник: Diodes Inc
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2041UVT-13 Diodes Inc

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26.

Інші пропозиції DMN2041UVT-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2041UVT-13 DMN2041UVT-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2041UVT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товар відсутній
DMN2041UVT-13 DMN2041UVT-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0013030242_1-2543901.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K
товар відсутній