Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2041UVT-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2041UVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN2041UVT-7 за ціною від 7.89 грн до 41.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2041UVT-7 | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26Power - Max: 1.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMN2041UVT-7 | Diodes Zetex |
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMN2041UVT-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26 Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMN2041UVT-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K |
на замовлення 7908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMN2041UVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2041UVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMN2041UVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2041UVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMN2041UVT-7 | Diodes Zetex |
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN2041UVT-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.98 грн |
| 6000+ | 7.89 грн |
| DMN2041UVT-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.43 грн |
| DMN2041UVT-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.07 грн |
| 13+ | 24.18 грн |
| 100+ | 15.46 грн |
| 500+ | 10.97 грн |
| 1000+ | 9.82 грн |
| DMN2041UVT-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 7908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN2041UVT-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2041UVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN2041UVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN2041UVT-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2041UVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN2041UVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN2041UVT-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)