DMN2041UVT-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.98 грн |
| 6000+ | 7.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2041UVT-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26, Power - Max: 1.1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: TSOT-26, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V.
Інші пропозиції DMN2041UVT-7 за ціною від 9.82 грн до 41.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2041UVT-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26 Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMN2041UVT-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K |
на замовлення 7908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN2041UVT-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.07 грн |
| 13+ | 24.18 грн |
| 100+ | 15.46 грн |
| 500+ | 10.97 грн |
| 1000+ | 9.82 грн |
| DMN2041UVT-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 7908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)