Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2044UCB4-7
DMN2044UCB4-7
DMN2044UCB4-7
DMN2044UCB4-7DMN2044UCB4-7

DMN2044UCB4-7 DIODES INCORPORATED

DMN2044UCB4.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 16A; 1.18W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: U-WLB1010-4
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.18W
Drain current: 3.6A
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+56.52 грн
13+32.59 грн
100+21.08 грн
500+16.08 грн
1000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2044UCB4-7 DIODES INCORPORATED

Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 720mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: U-WLB1010-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2044UCB4-7 за ціною від 10.01 грн до 57.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2044UCB4-7 DMN2044UCB4-7 Diodes Incorporated DMN2044UCB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
на замовлення 1137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.58 грн
6000+12.02 грн
9000+11.48 грн
15000+10.20 грн
21000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2044UCB4-7 DMN2044UCB4-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0005737113_1-2542787.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 9555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.38 грн
10+37.93 грн
100+22.36 грн
500+17.09 грн
1000+15.75 грн
3000+12.38 грн
6000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2044UCB4-7 DMN2044UCB4-7 Diodes Incorporated DMN2044UCB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
на замовлення 1137190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.75 грн
10+34.89 грн
100+22.64 грн
500+16.29 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2044UCB4-7 DMN2044UCB4.pdf
DMN2044UCB4-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
на замовлення 1137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.58 грн
6000+12.02 грн
9000+11.48 грн
15000+10.20 грн
21000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2044UCB4-7 DIOD_S_A0005737113_1-2542787.pdf
DMN2044UCB4-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 9555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.38 грн
10+37.93 грн
100+22.36 грн
500+17.09 грн
1000+15.75 грн
3000+12.38 грн
6000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2044UCB4-7 DMN2044UCB4.pdf
DMN2044UCB4-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
на замовлення 1137190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.75 грн
10+34.89 грн
100+22.64 грн
500+16.29 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.