DMN2044UCB4-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
на замовлення 1428000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.58 грн |
| 6000+ | 12.90 грн |
| 9000+ | 12.32 грн |
| 15000+ | 10.95 грн |
| 21000+ | 10.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2044UCB4-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 720mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: U-WLB1010-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2044UCB4-7 за ціною від 13.20 грн до 62.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN2044UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 9555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN2044UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 720mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1010-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V |
на замовлення 1430838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2044UCB4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 16A; 1.18W Mounting: SMD Case: U-WLB1010-4 Gate charge: 47nC On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 1.18W Drain current: 3.6A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 16A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
