DMN2050LFDB-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 389pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.56 грн |
| 12+ | 27.08 грн |
| 100+ | 17.41 грн |
| 500+ | 12.39 грн |
| 1000+ | 11.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2050LFDB-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 730mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 389pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B).
Інші пропозиції DMN2050LFDB-7 за ціною від 8.52 грн до 46.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2050LFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A |
на замовлення 7880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|