на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2053U-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2053U-7 за ціною від 3.54 грн до 26.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2053U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 10 V |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2053U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 10 V |
на замовлення 116175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2053U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K |
на замовлення 7230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2053U-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN2053U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMN2053U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.4A; Idm: 22A; 1.3W; SOT23 Power dissipation: 1.3W Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.4A On-state resistance: 91mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 4.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 22A кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN2053U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.4A; Idm: 22A; 1.3W; SOT23 Power dissipation: 1.3W Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.4A On-state resistance: 91mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 4.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 22A |
товар відсутній |