Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2053UVTQ-7
DMN2053UVTQ-7

DMN2053UVTQ-7 Diodes Incorporated

DMN2053UVTQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.16 грн
6000+6.61 грн
9000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2053UVTQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2053UVTQ-7 за ціною від 5.65 грн до 28.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2053UVTQ-7 DMN2053UVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2053UVTQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
16+19.80 грн
100+11.90 грн
500+10.34 грн
1000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2053uvtq.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011803037_1-2543787.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.68 грн
15+22.96 грн
100+13.65 грн
1000+8.00 грн
3000+6.68 грн
9000+6.16 грн
24000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2053uvtq.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.