DMN2053UW-7

DMN2053UW-7 Diodes Zetex


dmn2053uw.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2053UW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2053UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN2053UW-7 за ціною від 3.25 грн до 36.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2053UW-7 DMN2053UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2053UW.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.35 грн
6000+ 4.92 грн
9000+ 4.26 грн
30000+ 3.92 грн
75000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2053UW-7 DMN2053UW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012994308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2053UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+13.7 грн
500+ 8.51 грн
1000+ 5.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN2053UW-7 DMN2053UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2053UW.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
на замовлення 105165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.93 грн
15+ 19.96 грн
100+ 10.11 грн
500+ 7.74 грн
1000+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2053UW-7 DMN2053UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012994308_1-2543770.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 8543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.99 грн
14+ 22.51 грн
100+ 8.1 грн
1000+ 6.01 грн
3000+ 4.79 грн
9000+ 4.12 грн
24000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2053UW-7 DMN2053UW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012994308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2053UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+36.94 грн
29+ 27.03 грн
100+ 13.7 грн
500+ 8.51 грн
1000+ 5.95 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMN2053UW-7 DMN2053UW-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2053uw.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMN2053UW-7 DMN2053UW-7 Виробник : Diodes Inc dmn2053uw.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMN2053UW-7 DMN2053UW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2053UW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.4A; Idm: 22A; 1.3W; SOT23
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 91mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN2053UW-7 DMN2053UW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2053UW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.4A; Idm: 22A; 1.3W; SOT23
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 91mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 22A
товар відсутній