на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2053UW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2053UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN2053UW-7 за ціною від 3.25 грн до 36.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN2053UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN2053UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2053UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN2053UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V |
на замовлення 105165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN2053UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K |
на замовлення 8543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN2053UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2053UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN2053UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 3-Pin SOT-323 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN2053UW-7 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 3-Pin SOT-323 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN2053UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.4A; Idm: 22A; 1.3W; SOT23 Power dissipation: 1.3W Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.4A On-state resistance: 91mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 4.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 22A кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN2053UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.4A; Idm: 22A; 1.3W; SOT23 Power dissipation: 1.3W Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.4A On-state resistance: 91mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 4.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 22A |
товар відсутній |