Продукція > DIODES INC. > DMN2053UWQ-7
DMN2053UWQ-7

DMN2053UWQ-7 DIODES INC.

DMN2053UWQ.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2053UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2053UWQ-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN2053UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN2053UWQ-7 за ціною від 4.67 грн до 4.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN2053UWQ-7 DMN2053UWQ-7 DIODES INC. DMN2053UWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN2053UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-7 Diodes Zetex dmn2053uwq.pdf 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3025+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-7 DMN2053UWQ.pdf
DMN2053UWQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2053UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.039 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2053UWQ-7 dmn2053uwq.pdf
Виробник: Diodes Zetex
20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3025+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3025 шт
В кошику  од. на суму  грн.