Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2055U-7
DMN2055U-7

DMN2055U-7 Diodes Incorporated

DMN2055U.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.76 грн
6000+5.42 грн
9000+4.80 грн
30000+4.45 грн
75000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2055U-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2055U-7 за ціною від 5.82 грн до 26.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN2055U-7 DMN2055U-7 Diodes Incorporated DMN2055U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.35 грн
17+17.83 грн
100+8.98 грн
500+7.47 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-7 DMN2055U-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0004567154_1-2542706.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-7 DMN2055U.pdf
DMN2055U-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.35 грн
17+17.83 грн
100+8.98 грн
500+7.47 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055U-7 DIOD_S_A0004567154_1-2542706.pdf
DMN2055U-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.