DMN2055U-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.88 грн |
| 6000+ | 5.54 грн |
| 9000+ | 4.90 грн |
| 30000+ | 4.54 грн |
| 75000+ | 3.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2055U-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2055U-7 за ціною від 4.29 грн до 28.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2055U-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2055U-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K |
на замовлення 3044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMN2055U-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.90 грн |
| 17+ | 18.21 грн |
| 100+ | 9.17 грн |
| 500+ | 7.63 грн |
| 1000+ | 5.94 грн |
| DMN2055U-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.22 грн |
| 16+ | 20.95 грн |
| 100+ | 11.39 грн |
| 1000+ | 6.05 грн |
| 3000+ | 5.13 грн |
| 9000+ | 4.57 грн |
| 24000+ | 4.29 грн |