DMN2055UW-7 Diodes Incorporated


DMN2055UW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.23 грн
6000+4.82 грн
9000+4.17 грн
30000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2055UW-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2055UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN2055UW-7 за ціною від 3.44 грн до 29.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN2055UW-7 DMN2055UW-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0012994345_1-2543953.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
14+22.70 грн
21+14.89 грн
100+5.92 грн
3000+4.39 грн
9000+3.51 грн
24000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7 DMN2055UW-7 Diodes Incorporated DMN2055UW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 66600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.31 грн
16+19.61 грн
100+9.89 грн
500+7.58 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7 DMN2055UW-7 DIODES INC. 3168382.pdf Description: DIODES INC. - DMN2055UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7 DMN2055UW-7 DIODES INC. 3168382.pdf Description: DIODES INC. - DMN2055UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7 Diodes Zetex dmn2055uw.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7 DIOD_S_A0012994345_1-2543953.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.70 грн
21+14.89 грн
100+5.92 грн
3000+4.39 грн
9000+3.51 грн
24000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7 DMN2055UW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 66600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.31 грн
16+19.61 грн
100+9.89 грн
500+7.58 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7 3168382.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2055UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7 3168382.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2055UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UW-7 dmn2055uw.pdf
Виробник: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3192+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3192 шт
В кошику  од. на суму  грн.