DMN2055UWQ-7

DMN2055UWQ-7 Diodes Incorporated


DMN2055UWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.63 грн
6000+5.18 грн
9000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2055UWQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 520mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2055UWQ-7 за ціною від 4.47 грн до 36.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2055UWQ-7 DMN2055UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2055UWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.42 грн
15+21.11 грн
100+10.64 грн
500+8.15 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2055UWQ-7 DMN2055UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2055UWQ.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.33 грн
14+24.01 грн
100+11.80 грн
1000+6.98 грн
3000+5.17 грн
9000+4.75 грн
24000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.