Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2056U-7
DMN2056U-7

DMN2056U-7 Diodes Incorporated

DMN2056U.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.06 грн
6000+4.39 грн
9000+4.15 грн
15000+3.63 грн
21000+3.48 грн
30000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2056U-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2056U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMN2056U-7 за ціною від 4.37 грн до 24.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN2056U-7 DMN2056U-7 DIODES/ZETEX TDMN2056U-7_Diodes_DIODES_0001.pdf Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 38mOhm; 4A; 660mW; -55°C~150°C; Substitute: DMN2056U-13; DMN2056U-7 TDMN2056U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7 DMN2056U-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013120717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2056U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7 DMN2056U-7 DIODES INCORPORATED DMN2056U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 0.94W
на замовлення 5258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.07 грн
37+11.44 грн
50+8.32 грн
100+7.36 грн
500+5.75 грн
1000+5.14 грн
3000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7 DMN2056U-7 Diodes Incorporated DMN2056U.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
на замовлення 145610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
22+14.10 грн
100+8.86 грн
500+6.16 грн
1000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7 DMN2056U-7 Diodes Incorporated DMN2056U.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
на замовлення 38028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7 DMN2056U-7 Diodes Zetex dmn2056u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7 Diodes INC. DMN2056U.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 339 @ 10, Qg, нКл = 4,3 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,94, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 1479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7 TDMN2056U-7_Diodes_DIODES_0001.pdf
DMN2056U-7
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 38mOhm; 4A; 660mW; -55°C~150°C; Substitute: DMN2056U-13; DMN2056U-7 TDMN2056U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7 DIOD-S-A0013120717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2056U-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2056U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7 DMN2056U.pdf
DMN2056U-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 0.94W
на замовлення 5258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.07 грн
37+11.44 грн
50+8.32 грн
100+7.36 грн
500+5.75 грн
1000+5.14 грн
3000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7 DMN2056U.pdf
DMN2056U-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
на замовлення 145610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.02 грн
22+14.10 грн
100+8.86 грн
500+6.16 грн
1000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7 DMN2056U.pdf
DMN2056U-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
на замовлення 38028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7 dmn2056u.pdf
DMN2056U-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2056U-7 DMN2056U.pdf
Виробник: Diodes INC.
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 339 @ 10, Qg, нКл = 4,3 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,94, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 1479 шт
В кошику  од. на суму  грн.