DMN2056U-7 DIODES/ZETEX
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 38mOhm; 4A; 660mW; -55°C~150°C; Substitute: DMN2056U-13; DMN2056U-7 TDMN2056U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 5.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2056U-7 DIODES/ZETEX
Description: DIODES INC. - DMN2056U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 660mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm.
Інші пропозиції DMN2056U-7 за ціною від 4.60 грн до 32.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2056U-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 940mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMN2056U-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 657000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMN2056U-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 657000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMN2056U-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.7A Power dissipation: 0.94W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1528 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN2056U-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 940mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V |
на замовлення 118608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMN2056U-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMN2056U-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 |
на замовлення 148086 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMN2056U-7 | Diodes INC. |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 339 @ 10, Qg, нКл = 4,3 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,94, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| DMN2056U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.61 грн |
| 9000+ | 4.60 грн |
| DMN2056U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 657000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.30 грн |
| DMN2056U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 657000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.31 грн |
| 6000+ | 7.21 грн |
| DMN2056U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.94W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.94W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 16.26 грн |
| 37+ | 11.57 грн |
| 50+ | 8.42 грн |
| 100+ | 7.45 грн |
| 500+ | 5.81 грн |
| 1000+ | 5.20 грн |
| DMN2056U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
на замовлення 118608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.65 грн |
| 20+ | 15.70 грн |
| 25+ | 12.98 грн |
| 50+ | 10.58 грн |
| 100+ | 9.23 грн |
| DMN2056U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 32.85 грн |
| 37+ | 20.84 грн |
| DMN2056U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
на замовлення 148086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN2056U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes INC.
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 339 @ 10, Qg, нКл = 4,3 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,94, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 339 @ 10, Qg, нКл = 4,3 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,94, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.74 грн |




