Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2058U-13
DMN2058U-13

DMN2058U-13 Diodes Incorporated

DMN2058U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.17 грн
20000+4.56 грн
30000+4.35 грн
50000+3.87 грн
70000+3.73 грн
100000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2058U-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.13W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2058U-13 за ціною від 4.78 грн до 28.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2058U-13 DMN2058U-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2058U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
на замовлення 274564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.51 грн
19+16.70 грн
100+10.53 грн
500+7.37 грн
1000+6.56 грн
2000+5.87 грн
5000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13 Виробник : Diodes Zetex dmn2058u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13 Виробник : Diodes Inc dmn2058u.pdf 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13 Виробник : Diodes Zetex dmn2058u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2058U.pdf DMN2058U-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2058U-13 DMN2058U-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011183505_1-2543669.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.