DMN2058U-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 4.9 грн |
30000+ | 4.66 грн |
50000+ | 3.96 грн |
100000+ | 3.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2058U-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.13W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2058U-13 за ціною від 4.58 грн до 25.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN2058U-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.13W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V |
на замовлення 168422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN2058U-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN2058U-13 | Виробник : Diodes Inc | 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN2058U-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN2058U-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; Idm: 24A; 1.13W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.7A On-state resistance: 91mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.13W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 24A Mounting: SMD кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN2058U-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN2058U-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; Idm: 24A; 1.13W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.7A On-state resistance: 91mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.13W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 24A Mounting: SMD |
товар відсутній |