DMN2058U-13

DMN2058U-13 Diodes Incorporated


DMN2058U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
на замовлення 160000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.9 грн
30000+ 4.66 грн
50000+ 3.96 грн
100000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2058U-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.13W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2058U-13 за ціною від 4.58 грн до 25.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2058U-13 DMN2058U-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2058U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
на замовлення 168422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.8 грн
16+ 17.53 грн
100+ 8.83 грн
500+ 7.34 грн
1000+ 5.71 грн
2000+ 5.12 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2058U-13 Виробник : Diodes Zetex dmn2058u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2058U-13 Виробник : Diodes Inc dmn2058u.pdf 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2058U-13 Виробник : Diodes Zetex dmn2058u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMN2058U-13 DMN2058U-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2058U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; Idm: 24A; 1.13W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 91mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.13W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN2058U-13 DMN2058U-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011183505_1-2543669.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2058U-13 DMN2058U-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2058U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; Idm: 24A; 1.13W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 91mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.13W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: SMD
товар відсутній