DMN2058UW-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 4.24 грн |
| 20000+ | 3.73 грн |
| 30000+ | 3.55 грн |
| 50000+ | 3.14 грн |
| 70000+ | 3.03 грн |
| 100000+ | 2.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2058UW-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN2058UW-13 за ціною від 3.87 грн до 23.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2058UW-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 244800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2058UW-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323 T&R 10K |
на замовлення 16927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMN2058UW-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 244800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.73 грн |
| 22+ | 14.09 грн |
| 100+ | 8.85 грн |
| 500+ | 6.15 грн |
| 1000+ | 5.45 грн |
| 2000+ | 4.86 грн |
| 5000+ | 4.16 грн |
| DMN2058UW-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323 T&R 10K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323 T&R 10K
на замовлення 16927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.96 грн |
| 23+ | 14.40 грн |
| 100+ | 7.88 грн |
| 500+ | 5.84 грн |
| 1000+ | 4.64 грн |
| 2500+ | 4.43 грн |
| 5000+ | 3.87 грн |