на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2058UW-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN2058UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.0315 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN2058UW-7 за ціною від 2.87 грн до 33.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2058UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN2058UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN2058UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN2058UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V |
на замовлення 627000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN2058UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 2873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN2058UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2058UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.0315 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 14370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN2058UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 2873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN2058UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V |
на замовлення 633440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN2058UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K |
на замовлення 62809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN2058UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2058UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.0315 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 14370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| DMN2058UW-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
Trans N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 91mOhm; 3,5A; 700mW; -55°C ~ 150°C; DMN2058UW-7 TDMN2058UW-7 Diodes кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
DMN2058UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DMN2058UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R |
товар відсутній |