DMN2065UWQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.03 грн |
| 6000+ | 6.14 грн |
| 9000+ | 5.82 грн |
| 15000+ | 5.12 грн |
| 21000+ | 4.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2065UWQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN2065UWQ-7 за ціною від 4.96 грн до 32.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2065UWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2065UWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V |
на замовлення 10458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|