DMN2065UWQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 381000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.11 грн |
| 6000+ | 5.74 грн |
| 9000+ | 5.22 грн |
| 15000+ | 4.85 грн |
| 21000+ | 4.83 грн |
| 30000+ | 4.64 грн |
| 75000+ | 4.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2065UWQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2065UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN2065UWQ-7 за ціною від 5.22 грн до 39.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2065UWQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2065UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2065UWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 383046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2065UWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V |
на замовлення 10458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2065UWQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2065UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2065UWQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN2065UWQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN2065UWQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN2065UWQ-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |