на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2075UDW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN2075UDW-7 за ціною від 6.82 грн до 45.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2075UDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2075UDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V |
на замовлення 11950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363,3K |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN2075UDW-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |