
DMN2080UCB4-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0606-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 654000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 9.60 грн |
6000+ | 8.34 грн |
9000+ | 7.47 грн |
15000+ | 6.98 грн |
21000+ | 6.96 грн |
30000+ | 6.86 грн |
75000+ | 6.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2080UCB4-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 710mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-WLB0606-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2080UCB4-7 за ціною від 7.25 грн до 43.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN2080UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-WLB0606-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V |
на замовлення 656955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DMN2080UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
DMN2080UCB4-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
DMN2080UCB4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 8A; 1.25W Mounting: SMD Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 8A Case: X2-WLB0808-4 Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A On-state resistance: 0.115Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DMN2080UCB4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 8A; 1.25W Mounting: SMD Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 8A Case: X2-WLB0808-4 Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A On-state resistance: 0.115Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |