Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2080UCB4-7
DMN2080UCB4-7

DMN2080UCB4-7 Diodes Incorporated

DMN2080UCB4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0606-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 654000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.65 грн
6000+8.38 грн
9000+7.51 грн
15000+7.01 грн
21000+6.99 грн
30000+6.89 грн
75000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2080UCB4-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 710mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-WLB0606-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2080UCB4-7 за ціною від 7.28 грн до 43.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2080UCB4-7 DMN2080UCB4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2080UCB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0606-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 656955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
12+26.29 грн
100+13.95 грн
500+11.92 грн
1000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2080UCB4-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145116_1-2542546.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.53 грн
12+28.26 грн
100+16.77 грн
500+12.58 грн
1000+9.42 грн
3000+8.02 грн
9000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2080UCB4-7 DMN2080UCB4-7 Виробник : Diodes Inc 21dmn2080ucb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A 4-Pin X2-WLP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2080UCB4-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2080UCB4.pdf DMN2080UCB4-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.