на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 42.70 грн |
| 12+ | 29.47 грн |
| 100+ | 13.20 грн |
| 500+ | 12.12 грн |
| 1000+ | 10.44 грн |
| 3000+ | 7.44 грн |
| 6000+ | 7.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2080UCB4-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 710mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-WLB0606-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2080UCB4-7 за ціною від 25.58 грн до 43.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2080UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-WLB0606-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
DMN2080UCB4-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 4-Pin X2-WLP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
DMN2080UCB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-WLB0606-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |