DMN2120UFCL-7 Diodes Incorporated
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 30.84 грн |
15+ | 22.90 грн |
100+ | 12.37 грн |
1000+ | 6.52 грн |
3000+ | 4.91 грн |
9000+ | 4.25 грн |
24000+ | 4.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2120UFCL-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 450mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2120UFCL-7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN2120UFCL-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |