Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN21D1UDA-7B
DMN21D1UDA-7B

DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated

DMN21D1UDA.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+7.63 грн
20000+6.78 грн
30000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 310mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0806-6.

Інші пропозиції DMN21D1UDA-7B за ціною від 6.96 грн до 39.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN21D1UDA-7B DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated DMN21D1UDA.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 10834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.81 грн
14+23.53 грн
100+13.15 грн
500+9.85 грн
1000+8.02 грн
2500+7.95 грн
5000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN21D1UDA-7B DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated DMN21D1UDA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
на замовлення 44570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.56 грн
13+23.62 грн
100+15.05 грн
500+10.64 грн
1000+9.51 грн
2000+8.56 грн
5000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN21D1UDA-7B DMN21D1UDA.pdf
DMN21D1UDA-7B
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 10834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.81 грн
14+23.53 грн
100+13.15 грн
500+9.85 грн
1000+8.02 грн
2500+7.95 грн
5000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN21D1UDA-7B DMN21D1UDA.pdf
DMN21D1UDA-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
на замовлення 44570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.56 грн
13+23.62 грн
100+15.05 грн
500+10.64 грн
1000+9.51 грн
2000+8.56 грн
5000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.