DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.39 грн |
| 12+ | 25.67 грн |
| 25+ | 21.31 грн |
| 50+ | 17.48 грн |
| 100+ | 15.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 310mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0806-6.
Інші пропозиції DMN21D1UDA-7B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN21D1UDA-7B | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V |
на замовлення 7834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN21D1UDA-7B |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 7834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)