
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 43.45 грн |
14+ | 26.13 грн |
100+ | 14.82 грн |
500+ | 10.94 грн |
1000+ | 9.50 грн |
2500+ | 8.59 грн |
5000+ | 7.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 310mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0806-6.
Інші пропозиції DMN21D1UDA-7B за ціною від 6.21 грн до 8.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN21D1UDA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 |
на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|