Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN21D2UFB-7
DMN21D2UFB-7

DMN21D2UFB-7 Diodes Incorporated

DMN21D2UFB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN21D2UFB-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN21D2UFB-7 за ціною від 4.37 грн до 31.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN21D2UFB-7 DMN21D2UFB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN21D2UFB.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.05 грн
19+17.42 грн
100+10.95 грн
500+7.66 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN21D2UFB-7 DMN21D2UFB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN21D2UFB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.60 грн
19+19.15 грн
100+8.06 грн
500+7.67 грн
1000+6.83 грн
3000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN21D2UFB-7 Виробник : Diodes Inc dmn21d2ufb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.76A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN21D2UFB-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN21D2UFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 930pC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 570mW
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.