Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN21D2UFB-7
DMN21D2UFB-7

DMN21D2UFB-7 Diodes Incorporated

DMN21D2UFB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN21D2UFB-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN21D2UFB-7 за ціною від 11.20 грн до 31.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN21D2UFB-7 DMN21D2UFB-7 Diodes Incorporated DMN21D2UFB.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.77 грн
16+18.88 грн
25+15.67 грн
50+12.82 грн
100+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN21D2UFB-7 DMN21D2UFB-7 Diodes Incorporated DMN21D2UFB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 6852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN21D2UFB-7 DMN21D2UFB.pdf
DMN21D2UFB-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.77 грн
16+18.88 грн
25+15.67 грн
50+12.82 грн
100+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN21D2UFB-7 DMN21D2UFB.pdf
DMN21D2UFB-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 6852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.