DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 4.79 грн |
| 20000+ | 4.18 грн |
| 30000+ | 4.15 грн |
| 50000+ | 3.84 грн |
| 70000+ | 3.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 760mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN21D2UFB-7B за ціною від 4.19 грн до 26.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN21D2UFB-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 760mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN21D2UFB-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 760mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN21D2UFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V |
на замовлення 149122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN21D2UFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10 |
на замовлення 134401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN21D2UFB-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.76A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 570mW Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 930pC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN21D2UFB-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 570mW Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 930pC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |