DMN2230U-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 13.53 грн |
| 45+ | 10.22 грн |
| 100+ | 9.05 грн |
| 115+ | 8.60 грн |
| 310+ | 8.13 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
35 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2230U-7 DIODES INCORPORATED
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2230U-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2230U-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET 600mW 20Vdss |
на замовлення 5368 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN2230U-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 600mW 20Vdss
MOSFET 600mW 20Vdss
на замовлення 5368 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)