DMN2230UQ-7 DIODES/ZETEX
Виробник: DIODES/ZETEX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 230mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C; DMN2230UQ-13; DMN2230UQ-7 Diodes TDMN2230uq
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 846 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 5.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2230UQ-7 DIODES/ZETEX
Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN2230UQ-7 за ціною від 6.11 грн до 40.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2230UQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 444000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN2230UQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 378000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN2230UQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN2230UQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN2230UQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 445989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN2230UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN2230UQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW |
на замовлення 13055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
DMN2230UQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
DMN2230UQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 600mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN2230UQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.96 грн |
| 6000+ | 7.86 грн |
| 9000+ | 7.47 грн |
| 15000+ | 6.59 грн |
| 21000+ | 6.35 грн |
| 30000+ | 6.11 грн |
| DMN2230UQ-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 378000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.54 грн |
| DMN2230UQ-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.81 грн |
| DMN2230UQ-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.86 грн |
| DMN2230UQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 445989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.21 грн |
| 13+ | 23.60 грн |
| 100+ | 15.05 грн |
| 500+ | 10.65 грн |
| 1000+ | 9.52 грн |
| DMN2230UQ-7 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 40.98 грн |
| 15+ | 27.63 грн |
| 50+ | 19.03 грн |
| 100+ | 16.13 грн |
| DMN2230UQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
на замовлення 13055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN2230UQ-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN2230UQ-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)