DMN2230UQ-7

DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated


DMN2230UQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 495000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.07 грн
6000+7.96 грн
9000+7.56 грн
15000+6.68 грн
21000+6.43 грн
30000+6.19 грн
75000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN2230UQ-7 за ціною від 7.68 грн до 48.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 681000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : DIODES INC. 2814399.pdf Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.40 грн
500+13.59 грн
1500+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : DIODES INC. 2814399.pdf Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.86 грн
50+30.35 грн
100+19.40 грн
500+13.59 грн
1500+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2230UQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 497028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.56 грн
14+24.68 грн
100+15.72 грн
500+11.12 грн
1000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2230UQ.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
на замовлення 10740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.58 грн
14+27.61 грн
100+15.37 грн
500+11.53 грн
1000+10.33 грн
3000+8.08 грн
6000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2230UQ.pdf DMN2230UQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 251 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.38 грн
116+10.31 грн
318+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Inc 102dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.