Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2230UQ-7
DMN2230UQ-7

DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated

DMN2230UQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.09 грн
6000+7.97 грн
9000+7.57 грн
15000+6.69 грн
21000+6.44 грн
30000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN2230UQ-7 за ціною від 6.69 грн до 40.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 681000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : DIODES INC. 2814399.pdf Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.57 грн
500+12.31 грн
1500+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2230UQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.15 грн
18+24.42 грн
50+16.95 грн
100+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : DIODES INC. 2814399.pdf Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.01 грн
50+27.49 грн
100+17.57 грн
500+12.31 грн
1500+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2230UQ.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
на замовлення 10740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.09 грн
14+24.05 грн
100+13.39 грн
500+10.04 грн
1000+8.99 грн
3000+7.04 грн
6000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2230UQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 445989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.79 грн
13+23.94 грн
100+15.27 грн
500+10.80 грн
1000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMN2230UQ.pdf N-MOSFET 20V 2A 110mΩ 600mW DMN2230UQ-7 Diodes TDMN2230uq
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 846 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.