DMN2230UQ-7

DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated


DMN2230UQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 645000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.36 грн
6000+7.66 грн
9000+7.22 грн
15000+6.43 грн
21000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN2230UQ-7 за ціною від 7.32 грн до 46.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 681000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : DIODES INC. 2814399.pdf Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.081ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.47 грн
500+12.94 грн
1500+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2230UQ.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
на замовлення 12351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.92 грн
14+26.29 грн
100+14.63 грн
500+10.97 грн
1000+9.83 грн
3000+7.47 грн
6000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2230UQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 646974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.10 грн
14+23.74 грн
100+15.13 грн
500+10.70 грн
1000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : DIODES INC. 2814399.pdf Description: DIODES INC. - DMN2230UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.90 грн
50+28.90 грн
100+18.47 грн
500+12.94 грн
1500+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMN2230UQ.pdf N-MOSFET 20V 2A 110mΩ 600mW DMN2230UQ-7 Diodes TDMN2230uq
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 846 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2230UQ.pdf DMN2230UQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.06 грн
115+9.81 грн
315+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Виробник : Diodes Inc 102dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.