Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2250UFB-7B
DMN2250UFB-7B

DMN2250UFB-7B Diodes Incorporated

DMN2250UFB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 16 V
на замовлення 430000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.58 грн
30000+4.33 грн
50000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2250UFB-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2250UFB-7B за ціною від 3.36 грн до 31.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2250UFB-7B DMN2250UFB-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2250UFB.pdf MOSFETs N-CH MOSFET 20V
на замовлення 83474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.16 грн
26+13.70 грн
100+6.26 грн
500+5.80 грн
1000+5.12 грн
5000+4.66 грн
10000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2250UFB-7B DMN2250UFB-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2250UFB.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 16 V
на замовлення 433839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.39 грн
16+20.76 грн
100+10.48 грн
500+8.03 грн
1000+5.96 грн
2000+5.01 грн
5000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2250UFB-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2250UFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.03A; Idm: 6A; 300mW
Case: X1-DFN1006-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.1nC
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.3W
Drain current: 1.03A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.