
DMN22M5UFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 20.68 грн |
4000+ | 19.74 грн |
6000+ | 19.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN22M5UFG-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN22M5UFG-7 за ціною від 19.74 грн до 65.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN22M5UFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3926 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 148188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN22M5UFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 28624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|