DMN2300UFB-7B

DMN2300UFB-7B Diodes Incorporated


DMN2300UFB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 468mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.41 грн
30000+6.10 грн
50000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2300UFB-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-UFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 468mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta), FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції DMN2300UFB-7B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2300UFB-7B DMN2300UFB-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2300UFB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2300UFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 940mA; Idm: 8A; 1.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.89nC
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 0.94A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.