Продукція > DIODES INC > DMN2300UFB4-7B
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B Diodes Inc

dmn2300ufb4.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2300UFB4-7B Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMN2300UFB4-7B за ціною від 3.21 грн до 28.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2300UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 1720000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.04 грн
20000+3.68 грн
30000+3.65 грн
50000+3.30 грн
70000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 9687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2841+4.27 грн
3000+4.19 грн
6000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 2841
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 9687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1894+4.58 грн
3000+4.49 грн
6000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 1894
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0008513633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.29 грн
250+8.04 грн
1000+5.37 грн
5000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2300UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 1732969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.42 грн
23+14.05 грн
100+6.30 грн
500+5.23 грн
1000+5.00 грн
2000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0008513633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.61 грн
83+10.29 грн
250+8.04 грн
1000+5.37 грн
5000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2300UFB4.pdf MOSFETs 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
на замовлення 44276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.12 грн
21+16.91 грн
100+9.25 грн
500+6.82 грн
1000+5.38 грн
2500+5.31 грн
5000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8FED47B058A18&compId=DMN2300UFB4.pdf?ci_sign=43a9e5fc501fb4b4dadbce7a5a750442f9375a97 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.96A
Power dissipation: 0.5W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8FED47B058A18&compId=DMN2300UFB4.pdf?ci_sign=43a9e5fc501fb4b4dadbce7a5a750442f9375a97 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.96A
Power dissipation: 0.5W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.