Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2300UFD-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN2300UFD-7 за ціною від 7.72 грн до 35.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2300UFD-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 630000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMN2300UFD-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 25 V |
на замовлення 2408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMN2300UFD-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K |
на замовлення 2931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMN2300UFD-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: X1-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMN2300UFD-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: X1-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMN2300UFD-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1592 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN2300UFD-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 630000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.72 грн |
| DMN2300UFD-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 25 V
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.57 грн |
| 15+ | 21.00 грн |
| 100+ | 13.31 грн |
| 500+ | 9.39 грн |
| 1000+ | 8.39 грн |
| DMN2300UFD-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN2300UFD-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN2300UFD-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN2300UFD-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)