
DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 8.91 грн |
6000+ | 8.22 грн |
9000+ | 7.86 грн |
15000+ | 7.15 грн |
21000+ | 7.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X2-DFN1310, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN2300UFL4-7 за ціною від 8.31 грн до 45.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN2300UFL4-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 4312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMN2300UFL4-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.39W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 227523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W Drain current: 1.19A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.39W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 3.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: X2-DFN1310-6 Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W Drain current: 1.19A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.39W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 3.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: X2-DFN1310-6 Drain-source voltage: 20V |
товару немає в наявності |