DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated


DMN2300UFL4.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.47 грн
6000+8.33 грн
9000+7.92 грн
15000+7.01 грн
21000+6.76 грн
30000+6.51 грн
75000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.39W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2300UFL4-7 за ціною від 10.34 грн до 42.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated DMN2300UFL4.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 154706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.62 грн
12+25.37 грн
100+16.24 грн
500+11.54 грн
1000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated DMN2300UFL4.pdf MOSFETs 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 154706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.62 грн
12+25.37 грн
100+16.24 грн
500+11.54 грн
1000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.