Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2310U-7
DMN2310U-7

DMN2310U-7 Diodes Incorporated

DMN2310U.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.19 грн
6000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2310U-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2310U-7 за ціною від 3.19 грн до 12.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN2310U-7 DMN2310U-7 Diodes Incorporated DMN2310U.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
42+7.16 грн
100+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7 DMN2310U-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0012994429_1-2543814.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 4741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7 DMN2310U.pdf
DMN2310U-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.40 грн
42+7.16 грн
100+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7 DIOD_S_A0012994429_1-2543814.pdf
DMN2310U-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 4741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.