DMN2310U-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.24 грн |
| 6000+ | 2.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2310U-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2310U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN2310U-7 за ціною від 1.61 грн до 12.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2310U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2310U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2310U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K |
на замовлення 4741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2310U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2310U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2310U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V |
на замовлення 8553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2310U-7 | Виробник : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
DMN2310U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN2310U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 680mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.36Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.68W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 4.8A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN2310U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 680mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.36Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.68W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 4.8A |
товару немає в наявності |