DMN2310UFD-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.40 грн |
| 6000+ | 4.69 грн |
| 9000+ | 4.43 грн |
| 15000+ | 3.89 грн |
| 21000+ | 3.73 грн |
| 30000+ | 3.57 грн |
| 75000+ | 3.17 грн |
| 150000+ | 3.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2310UFD-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: U-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN2310UFD-7 за ціною від 3.24 грн до 37.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2310UFD-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: U-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2310UFD-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: U-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2310UFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2310UFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN1212-3 T&R 3K |
на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|