на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 2.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2310UW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN2310UW-7 за ціною від 1.72 грн до 17.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2310UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2310UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2310UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2310UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V |
на замовлення 138572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2310UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K |
на замовлення 8289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2310UW-7 | Виробник : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 8V24V SOT323 T&R 3K |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
DMN2310UW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN2310UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN2310UW-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |