Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2320UFB4-7B
DMN2320UFB4-7B

DMN2320UFB4-7B Diodes Incorporated

DMN2320UFB4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+11.87 грн
20000+10.61 грн
30000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2320UFB4-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 520mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2320UFB4-7B за ціною від 9.36 грн до 59.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2320UFB4-7B DMN2320UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2320UFB4.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 8Vgss .52W 71pF
на замовлення 15164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.20 грн
13+30.09 грн
100+17.76 грн
500+15.30 грн
1000+11.97 грн
5000+10.94 грн
10000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2320UFB4-7B DMN2320UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2320UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V
на замовлення 145925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.18 грн
10+35.10 грн
100+22.60 грн
500+16.14 грн
1000+14.51 грн
2000+13.14 грн
5000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2320UFB4-7B DMN2320UFB4-7B Виробник : Diodes Inc 681dmn2320ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2320UFB4-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2320UFB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 6A; 1.07W
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1006-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.89nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 1.07W
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.