Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2320UFB4-7B
DMN2320UFB4-7B

DMN2320UFB4-7B Diodes Incorporated

DMN2320UFB4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+11.30 грн
20000+10.10 грн
30000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2320UFB4-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 520mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN2320UFB4-7B за ціною від 8.90 грн до 56.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2320UFB4-7B DMN2320UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2320UFB4.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 8Vgss .52W 71pF
на замовлення 17411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.36 грн
13+28.64 грн
100+16.90 грн
500+14.56 грн
1000+11.39 грн
5000+10.41 грн
10000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2320UFB4-7B DMN2320UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2320UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V
на замовлення 145925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.32 грн
10+33.41 грн
100+21.51 грн
500+15.36 грн
1000+13.81 грн
2000+12.50 грн
5000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2320UFB4-7B DMN2320UFB4-7B Виробник : Diodes Inc 681dmn2320ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2320UFB4-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2320UFB4.pdf DMN2320UFB4-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.