DMN2400UFB-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.03 грн |
| 6000+ | 4.37 грн |
| 9000+ | 4.12 грн |
| 15000+ | 3.61 грн |
| 21000+ | 3.46 грн |
| 30000+ | 3.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2400UFB-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V.
Інші пропозиції DMN2400UFB-7 за ціною від 2.72 грн до 24.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2400UFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K |
на замовлення 27746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2400UFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V |
на замовлення 121491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|