Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2400UFD-7
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7 Diodes Incorporated

DMN2400UFD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.32 грн
6000+5.51 грн
9000+5.22 грн
15000+4.59 грн
21000+4.41 грн
30000+4.23 грн
75000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2400UFD-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1212-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2400UFD-7 за ціною від 6.77 грн до 29.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2400UFD-7 DMN2400UFD-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2400UFD.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
на замовлення 103652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.30 грн
18+17.24 грн
100+10.86 грн
500+7.61 грн
1000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFD-7 DMN2400UFD-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2400UFD-218741.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFD-7 Виробник : Diodes Inc 1272034264064249dmn2400ufd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.