
DMN2400UFDQ-7 Diodes Incorporated
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 43.26 грн |
11+ | 32.06 грн |
100+ | 17.44 грн |
500+ | 11.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2400UFDQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN2400UFDQ-7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN2400UFDQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|
DMN2400UFDQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED | DMN2400UFDQ-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
|
DMN2400UFDQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |