
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 3.97 грн |
6000+ | 3.86 грн |
9000+ | 3.60 грн |
30000+ | 3.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2400UV-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2400UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.33 A, 1.33 A, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.33A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 530mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 530mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN2400UV-7 за ціною від 3.47 грн до 35.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN2400UV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2400UV-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2400UV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1245000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2400UV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1257000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN2400UV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.33A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 35061000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2400UV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 11769000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2400UV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 1.5Ω Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.84A |
на замовлення 1143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2400UV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2400UV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2400UV-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.33A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 530mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 530mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2400UV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 130370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2400UV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 1.5Ω Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.84A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1143 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN2400UV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 530mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.33A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 35061816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2400UV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
DMN2400UV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |